小型烘箱的用途很廣，在很多的實驗中也都有用到，今天就講一講小型烘箱在光刻過程中的應(yīng)用!

　　1、涂層光刻膠

　　在硅晶片表面的涂層中，將粘合劑或硅晶片放置在惰性氣體中進行熱處理。這個過程是為了增加光致抗蝕劑和硅晶片之間的粘附力，防止開發(fā)的時間和防止腐蝕的濕過程。

　　使用膠的抗蝕劑。首先，用真空法把硅天花板在甩膠機上抽油，會有一定的粘性光致抗蝕劑的表面上的鬼，然后時間來設(shè)置的速度和旋轉(zhuǎn)涂層。由于離心力，光致抗蝕劑的表面被均勻地分散，并除去多余的光致抗蝕劑，并獲得了一定厚度的光刻膠膜?？刮g劑的厚度控制的抗蝕劑的粘度和橡膠的速度!

　　2、預(yù)干燥

　　由于溶劑的抗蝕劑，在80攝氏度的硅晶片，涂有抗蝕劑是干的。微波爐是一種惰性氣體，和干燥時間通常是15-30分鐘從光刻膠去除劑。

　　3、掩模對準(zhǔn)

　　由于集成電路制造的過程是一個逐層處理的過程，每個層的位置不能被移位，使掩模板和晶片可以在晶片上對準(zhǔn)。

　　4、曝光

　　高壓汞燈g線(436nm)或我行(波長365nm)照射在感光膠在硅片上的掩模，使光刻膠是從相同的光敏圖案作為掩模圖形得到!

　　5、發(fā)展

　　在將硅晶片暴露于特定的顯影液中浸泡后，將所暴露的部分溶解，然后將圖像復(fù)制到光致抗蝕劑上，顯影液對顯影液進行顯影液!

　　6、干燥后

　　為了完全蒸發(fā)的殘余的有機溶液中的光致抗蝕劑，提高粘接性能和抗腐蝕性能，硅晶片被放置在一個小爐120-200攝氏度，和硅晶片放置在溫度為120度到200度的干燥20-30分鐘。